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空穴型半导体如何产生霍尔效应?霍尔效应是载流子受洛仑兹力产生的.但空穴如果是硅原子的话,即使受到洛仑兹力也不会运动,那么空穴如何运动.电子运动方向应该和空穴相同,到底是谁运动?
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更新时间:2024-04-25 19:05:20
问题描述:

空穴型半导体如何产生霍尔效应?

霍尔效应是载流子受洛仑兹力产生的.但空穴如果是硅原子的话,即使受到洛仑兹力也不会运动,那么空穴如何运动.电子运动方向应该和空穴相同,到底是谁运动?

在电流中,正负电荷受洛仑兹力方向相同。

但在霍尔效应中,N型半导体和P型半导体产生的霍尔电压方向相反。若果都是电子受洛仑兹力,为什么霍尔电压方向相反。

童茵回答:
  你自己也说了正负电荷受洛仑兹力方向相同,但产生的电势高低就相反了.所以,半导体中自由移动的电荷类型不同霍尔电势差方向就相反了.N型半导体的载流子是电子,P型半导体的载流子是空穴(等效于是正电荷定向移动),所以就会方向相反了.补充说明一下,空穴指半导体价带中的电子由于被热或光激发到导带中,或被受主型杂质俘获,在价带中留下一个空能级(即失去电子的价键),称为空穴.当它被邻近原子的价电子占据时,将在邻近产生新的空穴,其效果相当于空穴的移动.人们常把空穴视为在价带中能自由运动、带正电的实体,既简便又确切.你想啊,电子移走后,剩下的实体就是带正电荷的了,所以,必须把它看作是带正电荷的实体定向移动.
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